{"product_id":"ieej-zt114136","title":"ＲＣ－ＩＧＢＴの素子特性に対する裏面パターンの影響","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-136\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成23年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2011\/03\/05\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eRC-IGBT characteristics depending on backside pattern\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e小林 俊章(東芝),小林 政和(東芝),合田 和弘(東芝),梅川 真一(東芝),山口 正一(東芝)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eToshiaki Kobayashi(Toshiba Corporation),Masakazu Kobayashi(Toshiba Corporation),Kazuhiro Gouda(Toshiba Corporation),Shinichi Umekawa(Toshiba Corporation),Masakazu Yamaguchi(Toshiba Corporation)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eIGBT|逆導通\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e本研究では、逆導通IGBT(RC-IGBT)の設計最適化を目的に、IGBT特性、ダイオード特性に対する裏面パターンの影響について試作検証を行った。本検証ではPコレクタとNコレクタを一定の大きさと間隔で交互に設ける構造としており、Nコレクタ幅を固定しPコレクタ幅をパラメータとして変化させている。本検証より、裏面パターンのPコレクタ幅はスナップバック電圧、VF、Eoffに影響を与えるパラメータであり、最適設計値を持つことがわかった。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,123 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46398775918831,"sku":"IEEJ-ZT114136-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_d2c53a5d-d3bc-47b1-ba9a-313b46cb9c42.png?v=1744879336","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt114136","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}