{"product_id":"ieej-zt114139","title":"SiC-静電誘導トランジスタの高温逆バイアス試験","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-139\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成23年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2011\/03\/05\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eHigh Temperature Reverse Bias Test of SiC-Static Induction Transistors\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e矢野浩司 (山梨大学),田中保宣 (産業技術総合研究所),八尾 勉 (産業技術総合研究所),高塚章夫 (産業技術総合研究所)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eパワーデバイス|SiC|静電誘導トランジスタ\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eSiC-静電誘導トランジスタの高温逆バイアス試験を行った。使用したサンプルは降伏電圧１３００V、オン抵抗0.18Ω、電流定格４Aである。試験条件は、雰囲気温度125℃の下、ゲート・ソース間電圧-10V、ドレイン・ソース間電圧1000Vを連続して印加し、ゲート電流およびドレイン電流をモニターした。結果は、試験中にドレイン電流およびゲート電流ともに異常な値は示さず、故障は無かった。また、試験後の降伏電圧やオン抵抗などの諸特性は、試験前と替わらなかった。本結果は、素子の接合構造プロセスが問題なく行われており、素子の高信頼性を示唆するものである。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e640 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46398776377583,"sku":"IEEJ-ZT114139-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_eb1c15be-899b-41b2-a838-8264df2d0b00.png?v=1744879364","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt114139","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}