{"product_id":"ieej-zt116245","title":"V1mA=8kV超級ZnOアレスタ素子用C-V測定装置の開発","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e6-245\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成23年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2011\/03\/05\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eDevelopment of C-V Measurement System for ZnO Arrester Element\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e津田 孝一(日本AEパワーシステムズ),三宅 純一郎(日本AEパワーシステムズ),岩井田 武(日本AEパワーシステムズ)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eKoichi Tsuda(Japan AE Power Systems),Junichiro Miyake(Japan AE Power Systems),Takeshi Iwaida(Japan AE Power Systems)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eＺｎＯアレスタ|C-V測定|バリア高さ|ドナー密度\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e　半導性セラミックスデバイスのひとつであるZnOアレスタのV-I特性は粒界に形成されるダブルショットキー障壁に存在するドナー密度(Nd)やバリア高さ(φ)に大きく影響される。しかし、ZnOアレスタではキャパシタンスの耐圧の問題で、Ndやφを求める方法として知られているC-V法の適用はほとんどなされていない。今回、V1mA=8kV超級ZnOアレスタが評価可能なC-V測定装置を開発した。　この装置を用いることで、従来なされていなかった実アレスタ素子のNd、φの評価が可能となり、プロセス開発等に貢献できる。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e540 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46398951981295,"sku":"IEEJ-ZT116245-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_c3151532-b8ce-4c76-bd22-fa3355c53c73.png?v=1744882604","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt116245","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}