{"product_id":"ieej-zt124077","title":"ディスクリートパワーデバイスインバータの直流バスインダクタンスの解析","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-077\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成24年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2012\/03\/05\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eAnalysis of DC bus of a discrete power device inverter\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e太細 弘之(芝浦工業大学),齋藤 真(芝浦工業大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eHiroyuki Dasai(Shibaura Institute of Technology),Makoto Saito(Shibaura Institute of Technology)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eインダクタンス解析|インバータ回路\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e近年,新しい半導体の高速化に伴ってスイッチング周波数の高速化が進んできている。しかしながら高速動作は,インバータからEMIのノイズを発生させる大きな問題となっている。EMIノイズ発生のひとつの原因として主回路の配線の浮遊インダクタンスによる誘導電圧があげられる。本研究ではTO-247やTO-3Pを使ったディスクリートパワーデバイスインバータのインダクタンス解析を行った。今回はFEMを使用して,EMIノイズ特性に大きく影響する逆回復電流ループの電流分布の解析やインダクタンスの計算を行った。その結果逆回復ループのインダクタンスは25nHとなり電流分布は曲部に集中することが明らかとなった。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e551 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46399552520431,"sku":"IEEJ-ZT124077-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_5932c1ca-5aa2-4ead-a228-1189a41d817e.png?v=1744900815","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt124077","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}