{"product_id":"ieej-zt124149","title":"新開発GaN HEMTのスイッチング特性","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-149\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成24年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2012\/03\/05\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eSwitching Characteristic of a Newly Developed GaN HEMT\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e石橋 卓治(山口大学),岡本 昌幸(山口大学),平木 英治(山口大学),田中 俊彦(山口大学),橋詰 保(北海道大学),加地 徹(豊田中央研究所)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eTakaharu Ishibashi(Graduate School of Science and Engineering,Yamaguchi University,JST,CREST),Masayuki Okamoto(Graduate School of Science and Engineering,Yamaguchi University,JST,CREST),Eiji Hiraki(Graduate School of Science and Engineering,Yamaguchi University,JST,CREST),Toshihiko Tanaka(Graduate School of Science and Engineering,Yamaguchi University,JST,CREST),Tamotsu Hashizume(Reseach Center for Integrated Quantum Electronics,Hokkaido University,JST,CREST),Tetsu Kachi(TOYOTA CENTRAL R\u0026amp;D LABS.,JST,CREST)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eGaN HEMT|ゲートドライブ回路|高周波スイッチング|昇圧チョッパ回路|ノーマリオン|スイッチング特性\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e現在，パワーデバイスとして広く用いられている Si (Sillicon) 系のデバイスは材料物性上これ以上の性能向上は困難になりつつある。そこで，近年，Si 系デバイスの性能を上回ることが可能とされているワイドバンドギャップ半導体を用いたパワーデバイスが注目されている。本論文では，新開発 GaN HEMT (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor) を用いて昇圧チョッパ回路を構成し，高速スイッチングが可能であることを確認したので報告する。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e879 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46399561859311,"sku":"IEEJ-ZT124149-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_54bc8916-ae0a-4c3c-b230-1033e795b048.png?v=1744900949","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt124149","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}