{"product_id":"ieej-zt124150","title":"新開発GaN HEMTを用いたインバータ回路","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-150\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成24年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2012\/03\/05\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eAn Inverter with Newly Developed GaN HEMTs\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e豊田 玄紀(山口大学),岡本 昌幸(山口大学),平木 英治(山口大学),田中 俊彦(山口大学),橋詰 保(北海道大学),加地 徹(豊田中央研究所)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eGenki Toyoda(Yamaguchi University),Masayuki Okamoto(Yamaguchi University),Eiji Hiraki(Yamaguchi University),Toshihiko Tanaka(Yamaguchi University),Tamotsu Hashizume(Hokkaido University),Tetsu Kachi(TOYOTA CENTRAL R\u0026amp;D LABS.,INC)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eGaN|ゲートドライブ回路|インバータ回路|パワー半導体|ワイドバンドギャップ\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e低損失かつ高速動作可能なパワー半導体として，ワイドバンドギャップ半導体であるガリウムナイトライド(GaN) が注目されている(1)。本論文では，試作したGaN 横型トランジスタとGaN SBD(Schottky Barrier Diode) を用いて，インバータの作成および動作確認を行ったので報告する。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e602 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46399561924847,"sku":"IEEJ-ZT124150-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_51de7ccc-7aa3-4fd7-aeb7-9b07662cca75.png?v=1744900953","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt124150","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}