{"product_id":"ieej-zt124158","title":"SiC製DMOSFETを用いた絶縁型フライバックコンバータの1MHzスイッチング動作","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-158\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成24年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2012\/03\/05\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eAn isolated flyback converter with 1MHz switching operation using SiC-DMOSFET\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e佐藤宣夫 (京都大学),文野 貴司(京都大学),大嶽 浩隆(ローム),中村 孝(ローム),引原 隆士(京都大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eNobuo Satoh(Kyoto University),Takashi Fumino(Kyoto University),Hirotaka Otake(ROHM),Takashi Nakamura(ROHM),Takashi Hikihara(Kyoto University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e高周波スイッチング|絶縁ゲートドライブ|シリコンカーバイド|パワーMOSFET|電力変換\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e絶縁ゲートドライブによるフライバックコンバータを作製し，1MHzでのスイッチング動作を達成した．その際，広帯域の絶縁ゲートドライバを選定，特注のパルストランスのほか，研究供与される大電流・耐電圧のSiC製MOSFET(900V\/10A)を用いて，その工学的応用を図っている．また回路内各部の電圧・電流の6チャンネル同時観測を行い，詳細な現象の検証ならびに電力変換効率を算出した．得られた電力変換効率は71%程度であり，まだ充分ではないが，電源回生型スナバ回路やソフトスイッチング技術の導入により，その改善が期待できる．\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e2,285 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46399446679791,"sku":"IEEJ-ZT124158-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_dddee725-c2d6-41ef-86e9-d2a9351b05b0.png?v=1744898605","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt124158","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}