{"product_id":"ieej-zt133154","title":"SOI-MEMS支持部構造における反りの解析","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e3-154\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成25年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2013\/03\/05\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eWarp analysis of an SOI-MEMS supporting structure\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e大村 義輝(豊田中央研究所),藤吉 基弘(豊田中央研究所),野々村 裕(豊田中央研究所),明石 照久(豊田中央研究所),船橋 博文(豊田中央研究所),畑 良幸(豊田中央研究所)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eYoshiteru Omura(MEMS Device Laboratory),Motohiro Fujiyoshi(MEMS Device Laboratory),Yutaka Nonomura(MEMS Device Laboratory),Teruhisa Akashi(MEMS Device Laboratory),Hirofumi Funabashi(MEMS Device Laboratory),Yoshiyuki Hata(MEMS Device Laboratory)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eSOI|有限要素法|加速度|角速度|センサ|反り\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eSOI(Silicon on Insulator)基板を用いた慣性力センサの開発において、電極支持に用いられるビーム構造体が上方に反り、傾斜する現象が見られた。この傾斜の発生により、基板に対する電極間隙が変化し、基板との間の静電容量が変化する。 本研究では、犠牲層エッチングによって下部の中間酸化膜を除去したビーム構造体の傾斜量を実験で測定し、FEMで解析した。この結果、構造体が基板から浮くと、圧縮歪みの開放により上層シリコンが収縮変形する。この収縮変形が反りの発生要因であることを明らかにした。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e326 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46399813877999,"sku":"IEEJ-ZT133154-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_4566ea40-47fa-4ae7-a4f6-688d696d3798.png?v=1744909737","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt133154","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}