{"product_id":"ieej-zt134026","title":"ラミネートバスバーの浮遊キャパシタンスを考慮したスイッチング時の等価回路解析","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-026\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成25年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2013\/03\/05\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eEquivalent circuit analysis in consideration of stray capacitance of a laminated busbar\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e日野 晃裕(首都大学東京),和田 圭二(首都大学東京)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eAkihiro Hino(Tokyo Metropolitan University),Keiji Wada(Tokyo Metropolitan University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eバスバー|インダクタンス|キャパシタンス\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e近年, SiC などの次世代パワー半導体の研究開発が盛んに行われており, 電力変換回路の高速スイッチング化や高電圧化が急速に実現されつつある。その一方, 電流変化率di\/dt や電圧変化率dv\/dt が高くなり, 例えば, スイッチング波形に含まれる高周波成分による電磁ノイズ障害やパワーデバイスのターンオフ時に発生する過電圧による素子破壊が電力変換回路の動作に影響を与える。これらの問題を解決する方法として電力変換回路の直流側配線に対する低インダクタンス化に関して多数報告されている。配線にラミネート構造を用いることによって寄生インダクタンスの低減は可能ではあるが,バスバー間隔の狭いラミネート構造では近接構造によって生じる浮遊キャパシタンスがスイッチング波形に大きな影響を与える恐れがある。そこで, バスバーキャパシタンスがスイッチング時の電圧・電流波形に与える影響を解析し, ラミネートバスバーの配線構造とスイッチングノイズの関係を明確にする。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e237 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46399704400111,"sku":"IEEJ-ZT134026-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_cf087bae-bb09-4289-8a5d-ff7fbee57daf.png?v=1744905983","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt134026","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}