{"product_id":"ieej-zt134143","title":"SiCパワーデバイスを用いたインバータの評価","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-143\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成25年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2013\/03\/05\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eEvaluation of The Inverter Using SiC Power Devices\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e山根 昭成(九州工業大学),小柳 佳祐(九州工業大学),小迫 雅裕(九州工業大学),匹田 政幸(九州工業大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eAkinari Yamane(Kyushu Institute of Technology),Keisuke Koyanagi(Kyushu Institute of Technology),Masahiro Kozako(Kyushu Institute of Technology),Masayuki Hikita(Kyushu Institute of Technology)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eSiCパワーデバイス|SiCインバータ|効率\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e現在，インバータなどのパワエレ機器にはSi（シリコン）のパワーデバイスが使用されているが，その性能改善は限界に近いとされている。そこで近年，Siよりも特性が良いSiC（シリコンカーバイド）が注目されている。本稿では，SiC-MOSFETとSiC-SBDを用いたフルSiCインバータの試作を行い，その諸特性についてSiC-MOSFETのみの場合との比較検討を行った。その結果，インバータ効率は出力の増加に伴い低下すること，SiC-SBDを付けることで効率が0.2~0.3%程度向上することが分かった。また，インバータ動作時にはSiC-MOSFETのVGS波形にリンギングが発生していることを確認した。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e358 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46399702630639,"sku":"IEEJ-ZT134143-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_b371a989-2d44-46ad-9a50-9e36055876f0.png?v=1744905922","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt134143","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}