{"product_id":"ieej-zt143147","title":"低電圧駆動Siナノ電気機械スイッチ","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e3-147\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成26年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2014\/03\/05\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eLow-Voltage driven Nano Electro Mechanical Switch based on Si\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e飯塚 啓(東北大学),小野 崇人(東北大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eHiro Iizuka(Tohoku University),Ono Takahito(Tohoku University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eMEMSスイッチ|メカニカルスイッチ\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eシリコンを基材としスイッチ接触点にタングステンを成膜したナノ電気機械スイッチの作製を行い，その特性を評価した。本研究の特徴として，SOI(Silicon On Insulator)ウエハを用いたトップダウン型の比較的容易な作製方法であること，高精度加工により低電圧駆動すること，また，スイッチ接点に低抵抗な材料であるタングステンを成膜することで，ジュール加熱による損傷を低減できることが挙げられる。梁の剛性が異なる2種類のスイッチを駆動実験した結果，2.5Vと0.8Vでのスイッチング駆動を確認した。本実験で作製したデバイスは，新たなスイッチング素子としての応用が期待できる。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e768 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46399910183151,"sku":"IEEJ-ZT143147-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_57d39a6f-28b7-42d0-8ea3-efba02302414.png?v=1744912670","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt143147","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}