{"product_id":"ieej-zt144131","title":"SiC-MOSFETを用いた高周波インバータのロスレススナバキャパシタによるセルフターンオン抑制","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-131\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成26年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2014\/03\/05\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003ePreventing method of self turn-on in a high frequency inverter using SiC-MOSFETs\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e坪井 祥紀(東京工業大学),米田 昇平(東京工業大学),藤田 英明(東京工業大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eYoshiki Tsuboi(Tokyo Institute of Technology),Shouhei Komeda(Tokyo Institute of Technology),Hideaki Fujita(Tokyo Institute of Technology)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e誘導加熱|インバータ|SiC\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e近年，低損失なスイッチングデバイスとして，SiC-MOSFETが注目されている。SiC-MOSFETの特長としては，オン損失が小さいこと，スイッチング損失が小さいことが挙げられる。これらの特長から，高効率化が望まれている誘導加熱用高周波インバータのスイッチングデバイスにSiC-MOSFETを用いることが期待されている。低スイッチング損失を実現するためには低ゲート抵抗でゲートを駆動する必要があるが，ゲートを高速に駆動するとドレイン・ソース間電圧の時間変化率dvds\/dtが大きくなり，MOSFETがセルフターンオンするおそれがある。そこで本論文では，ドレイン・ソース間にロスレススナバキャパシタによるセルフターンオンの抑制効果を実験的に検討する。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e527 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46399927746799,"sku":"IEEJ-ZT144131-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_35d2d27a-126d-460a-985f-f41864c9285b.png?v=1744913366","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt144131","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}