{"product_id":"ieej-zt154001","title":"SiC-BGSITとSi-MOSFETバリガペアの評価","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-001\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成27年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2015\/03\/05\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eDevice Properties of Baliga Pair using SiC-BGSIT and Si-MOSFET\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e山本 真幸(山梨大学),飯塚 大臣(山梨大学),矢野 浩司(山梨大学),田中 保宣(産業技術総合研究所),八尾 勉(産業技術総合研究所)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eMasayuki Yamamoto(University of Yamanashi),Hiroomi Iizuka(University of Yamanashi),Koji Yano(University of Yamanashi),Yasunori Tanaka(AIST),Tsutomu Yatsuo(AIST)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e静電誘導トランジスタ|バリガペア|炭化ケイ素\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e高耐圧SiC-埋め込みゲート型静電誘導トランジスタ(BGSIT)と低耐圧Si-MOSFETをカスコード接続させたバリガペアは、ゲート部がSi-MOS構造であることから駆動信号のノイズマージンが大きいという利点がある。本研究では、SiC-BGSITとSi-MOSFETバリガペアのデバイス特性を評価した。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e273 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46400161349871,"sku":"IEEJ-ZT154001-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_562e4f68-1057-4595-a973-425f52a3a286.png?v=1744919441","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt154001","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}