{"product_id":"ieej-zt154003","title":"3.3kV SiC-MOSFETのスイッチング試験結果","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-003\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成27年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2015\/03\/05\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eResult of Switching Test of 3.3kV SiC-MOSFET\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e日野 晃裕(富士電機),遠藤 弘(富士電機),辻 崇(富士電機),福田 恭平(富士電機),堀 元人(富士電機)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eAkihiro Hino(Fuji Electric Co., LTD.),Hiroshi Endo(Fuji Electric Co., LTD.),Takashi Tsuji(Fuji Electric Co., LTD.),Kyohei Fukuda(Fuji Electric Co., LTD.),Motohito Hori(Fuji Electric Co., LTD.)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eSiC|MOSFET|SBD|3.3kV|スイッチング\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e近年, 太陽光発電をはじめとする再生可能エネルギー普及に伴い, 配電系統の電圧変動問題が顕著に現れる恐れがある。この問題は電力変換器の導入によって解決できるが, 電力変換器の配電系統への導入を拡大するためには, 機器の更なる高効率化, 小形・軽量化が求められている。そのため, 従来のSiと比較して高耐圧, 低損失などの特長を持つ次世代ワイドバンドギャップ半導体のSiCが着目され, そのSiCを材料とする半導体デバイス(SiCデバイス)を用いたパワーモジュールやインバータの開発が国内外で進められている。今回, 耐圧3.3kVのSiC-MOSFETとSiC-SBDを搭載したモジュールを試作し, スイッチング試験によってデバイスを評価した。本稿では, その結果を報告する。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e470 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46400267780335,"sku":"IEEJ-ZT154003-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_fd564609-57fe-4953-9e8d-17b874bba16c.png?v=1744921468","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt154003","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}