{"product_id":"ieej-zt154005","title":"表面ポテンシャルモデルを用いたSiCパワーMOSFETの過渡解析に関する一検討","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-005\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成27年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2015\/03\/05\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eA Study on Transient Analysis of SiC Power MOSFET based on Surface Potential Model\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e中村 洋平(京都大学),引原 隆士(京都大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eYohei Nakamura(Graduate school Kyoto University),Hikihara.Takashi(Graduate school Kyoto University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eパワーMOSFET|過渡解析|表面ポテンシャル|デバイスモデリング\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e近年, パワーMOSFETの材料として, 従来から用いられているSiに比べ, 物性的に優位な特性を有するSiCに期待が集まっている. このSiCを用いたパワーMOSFETの特性を生かした回路設計や, 回路の動作に応じたデバイス設計を検討するためには, SiCパワーMOSFETの回路モデルが不可欠となる. 従来から用いられている閾値電圧モデルは, SiCパワーMOSFETの表現には充分ではない. 本報告では, より詳細に半導体デバイス物理に従う表面ポテンシャルモデルをSiCパワーMOSFETに適用することを試みた.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e366 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46400264929519,"sku":"IEEJ-ZT154005-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_3316cede-b261-4172-aedb-7ef348d6e991.png?v=1744921431","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt154005","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}