{"product_id":"ieej-zt154006","title":"SiCパワーデバイスの新しい高信頼ターミネーション構造(HiRST)","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-006\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成27年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2015\/03\/05\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eA Novel Highly Reliable and Simple Termination (HiRST) for SiC Power Devices\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e平尾 高志(日立製作所),森 睦宏(日立製作所),小野瀬 秀勝(日立製作所)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eTakashi Hirao(Hitachi, Ltd.),Mutsuhiro Mori(Hitachi, Ltd.),Hidekatsu Onose(Hitachi, Ltd.)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eターミネーション|FLR|フィールドプレート\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eSiC用のターミネーション構造として，SiCの高電界でも高耐圧を実現でき，界面電荷にも安定な，FLRとフィールドプレートを使った新しい高信頼ターミネーション構造であるHiRST構造を提案する。HiRST構造を適用した4H-SiCダイオードを試作し，評価した結果，高温逆バイアスの環境下で，耐圧3.3 kV以上を安定に保持することを確認した。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e284 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46400267813103,"sku":"IEEJ-ZT154006-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_0091e344-1257-49a2-9a94-b76231751dee.png?v=1744921471","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt154006","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}