{"product_id":"ieej-zt154007","title":"大容量SiC-MOSFET\/SBDモジュールの開発","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-007\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成27年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2015\/03\/05\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eDevelopment of High-Power SiC-MOSFET\/SBD Module\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e小谷 和也(東芝),市倉 優太(東芝),竹中 浩(東芝),田多 伸光(東芝)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003ekazuya kodani(Toshiba Corporation),yuta ichikura(Toshiba Corporation),hiroshi takenaka(Toshiba Corporation),nobumitsu tada(Toshiba Corporation)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eパワーデバイス|シリコンカーバイド|寄生抵抗|寄生インダクタンス\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eＳｉＣパワーデバイスは、高電圧、大電流、高周波の用途に適しており、パワーエレクトロニクス装置の高効率化、小型化に貢献する。高速で低損失である分、従来に比べてパワーモジュール内の寄生抵抗、インダクタンスの低減が重要になる。本稿では、これらの課題を改善したＳｉＣパワーモジュール（1700V-400A 2in1）について報告する。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e205 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46400267845871,"sku":"IEEJ-ZT154007-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_b741cb6f-52cf-44bd-b622-8af2ec8425b2.png?v=1744921475","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt154007","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}