{"product_id":"ieej-zt154109","title":"電力変換回路の電圧電流定格に基づく寄生インダクタンス規格化","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-109\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成27年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2015\/03\/05\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eNormalization of stray inductance for power converter circuit\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e安東 正登(首都大学東京),和田 圭二(首都大学東京)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eMasato Ando(Tokyo Metropolitan University),Keiji Wada(Tokyo Metropolitan University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e寄生インダクタンス|サージ電圧|規格化\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e近年，電力変換回路はシリコンカーバイド(SiC) を用いたパワーデバイスが適用され始め，小型・高効率化が進んでいる。一方，スイッチング時に発生するサージ電圧は直流側寄生インダクタンスに依存しており，特にSiCパワーデバイスを用いた回路ではその影響が顕著となる。これまで，寄生インダクタンスは絶対値[H] で述べられており，一般化された設計法は検討されていないように思われる。本論文は電力変換回路の電圧・電流定格とスイッチング時間に基づき，回路インピーダンスに対して寄生インダクタンスをパーセント[%]で規格化する手法を示す。さらに，本稿で提案する手法の妥当性を確認するために，SiC-MOSFET を用いて500 V，400 A のスイッチング試験を行う。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e826 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46400148078831,"sku":"IEEJ-ZT154109-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_6c015ef6-a6a3-4a64-9fe5-328d8b1040bb.png?v=1744919301","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt154109","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}