{"product_id":"ieej-zt154133","title":"SiC-MOSFET 10kW 産業用PCSの損失解析","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-133\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成27年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2015\/03\/05\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003ePower Loss Estimation on 10kW SiC-MOSFET Solar Power Conditioner\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e齋藤 真(芝浦工業大学),松井 亮(芝浦工業大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eMakoto Saitou(Shibaura Institute of Tecnology),Ryo Matsui(Shibaura Institute of Tecnology)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eパワーコンディショナ|SiCーMOSFET|損失解析\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e筆者は、次世代パワーデバイス応用を模索・提案しながら10kW産業用パワーコンディショナ(PCS)のSiC-MOSFET化と高周波スイッチング化を検討している。本論文はその一環として、高周波スイッチングと効率の関係についてシミュレーション結果をベースに報告する。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e413 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46400152633583,"sku":"IEEJ-ZT154133-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_f6c90cd3-0958-4792-861d-e73b0e8c3dbd.png?v=1744919354","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt154133","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}