{"product_id":"ieej-zt161094","title":"収束磁場ヘリコンプラズマ源を用いた高速シリコンエッチャー開発","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e1-094\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2016\/03\/05\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eHigh speed silicon etcher using a magnetically-converging helicon plasma source\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e仲野 雄大(東北大学),高橋 和貴(東北大学),小室 淳史(東北大学),安藤 晃(東北大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eYudai Nakano(Tohoku University),Kazunori Takahashi(Tohoku University),Atsushi Komuro(Tohoku University),Akira Ando(Tohoku University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eプラズマ,高周波放電,収束磁場,エッチング\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e収束磁場を用いたプラズマ装置構成は効率的なプラズマ輸送が見込まれるため，半導体プロセスにおけるエッチング技術に適用できると考えられる．また半導体プロセスにおいて，3次元集積回路のような多品種少量生産に適した製品を低コストかつ高速に製造するコンパクトなシステムの確立が求められている．Arガスを用いた収束磁場によるエッチングレート上昇の効果は先行研究で確認されているが，SF6ガスを用いた結果は報告されていないため，本研究ではSF6ガスを用いて，コンパクトな収束磁場型ヘリコンプラズマ源によるエッチングを行った．詳細は講演にて述べる．\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e220 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46400722370799,"sku":"IEEJ-ZT161094-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_8eb8976e-d185-4b32-9640-a7e4ce5315e5.png?v=1744928260","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt161094","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}