{"product_id":"ieej-zt163011","title":"サブスレッショルド動作するMOSFETを用いた万能ガンマ補正回路","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e3-011\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2016\/03\/05\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eUniversal Gamma Collection Circuit composed of MOSFET operating in subthreshold region\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e高山 留美(東洋大学),劉 雨瀚(東洋大学),佐野 勇司(東洋大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eRumi Takayama(Toyo University),Yuhan Liu(Toyo University),Yuji Sano(Toyo University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eガンマ補正回路,サブスレッショルド動作,画像機器,ガンマ補正\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e半導体素子の非線形特性を利用した小規模回路によって，1以上或いは1以下の任意のガンマ値を実現するガンマ補正回路を提案した．提案回路においてはサブスレッショルド動作させたMOSFETの指数特性を用いることによって，画像入出力装置に必要なガンマ値0.19から5.2をカバーすることができた．さらに，サブスレッショルド動作するMOSFETのバイアス電流が極めて低く抑えられるため，提案回路は超低消費電力となり，LSIの微細化にも有利となった．\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e418 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46400652869871,"sku":"IEEJ-ZT163011-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_1b05e81f-c95c-4422-874c-97addd1ec32d.png?v=1744927562","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt163011","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}