{"product_id":"ieej-zt163147","title":"極薄半導体ナノシートにおけるゼーベック係数膜厚依存性の第一原理解析","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e3-147\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2016\/03\/05\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eFirst-Principles Analysis on Thickness Dependence of Seebeck Coefficient in Ultrathin Semiconducting Nanosheets\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e中村 康一(京都大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eKoichi Nakamura(0)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e熱電効果,ナノスケール,第一原理計算,ナノシート,ゼーベック係数\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eナノスケール熱電変換素子を用いた高性能MEMSデバイスへの応用を念頭に、半導体ナノシート材料としてSiおよびSiCを用いたモデルを導入し、第一原理シミュレーションによって量子閉じ込め効果の詳細とn型にドープした場合のゼーベック係数の膜厚依存性を議論した。Siナノシートでは膜厚が3nm以上で明快な閉じ込め効果が観察され、それぞれの面方位に対応して妥当な膜厚依存性が得られた一方で、膜厚が2nm以下になると閉じ込め効果が失われ、キャリア状態密度やキャリア速度の大きな変化により急激なゼーベック係数の膜厚依存性が観察された。数nmサイズの半導体ナノシートでは独特な熱電特性を示すことが期待できる。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e221 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46400814907631,"sku":"IEEJ-ZT163147-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_ee1398d8-21c6-45c7-bbe8-87101878e3a8.png?v=1744929601","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt163147","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}