{"product_id":"ieej-zt164007","title":"SiC-MOSFETによる無アーク低ノイズ開閉器","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-007\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2016\/03\/05\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eNo-ARC Low-Noize Switches using SiC-MOSFET\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e嶋田 隆一(筑波大学),磯部 高範(筑波大学),只野 博(筑波大学),岩室 憲幸(筑波大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eRyuichi Shimada(University of Tsukuba),Takanori Isobe(University of Tsukuba),Hiroshi Tadano(University of Tsukuba),Noriyuki Iwamuro(University of Tsukuba)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eSiC-MOSFET,遮断器\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eシリコン・カーバイド（SiC）半導体は，シリコンより高耐電圧で高温に耐える。金属のアーク接点が主であったスイッチ，開閉器，遮断器を無アーク化して，高性能，長寿命，低ノイズ化が可能である。しかし金属接点に比べて，導通損の点ではまだ1桁以上劣る。そこで半導体スイッチと金属接点の良いところを組み合わせて，通電は金属接点で，遮断は半導体でというハイブリッドな開閉器が提案されている。本論文では，双投スイッチを用い，半導体スイッチのゲート駆動を簡単な構成で可能にするハイブリッド開閉器と，MOSFETの活性領域を使った開閉サージの抑制について紹介する。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e462 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46400819429615,"sku":"IEEJ-ZT164007-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_bea86609-f401-4661-86c4-dfb5138cb0bf.png?v=1744929665","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt164007","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}