{"product_id":"ieej-zt164011","title":"13.56MHzスイッチング動作に向けたSiC MOSFETとJFETの動特性の評価","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-011\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2016\/03\/05\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eEvaluation of Dynamic Characteristics of SiC MOSFET and JFET for Switching at 13.56MHz\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e稲森 奨(京都工芸繊維大学),古田 潤(京都工芸繊維大学),小林 和淑(京都工芸繊維大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eSho Inamori(Kyoto Institute of Technology),Jun Furuta(Kyoto Institute of Technology),Kazutoshi Kobayashi(Kyoto Institute of Technology)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eSiC パワーMOSFET,SiC パワーJFET,ダブルパルス試験\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e?近年、SiCパワーデバイスを用いた電力変換回路の幅広い利用が検討されている。特に車載などの用途では、電力変換回路の小型軽量化が要求される。スイッチング周波数を高くすることで小型軽量化できる。本稿では、SiC MOSFETを駆動するゲートドライバに着目し、ISMバンドのひとつである13.56MHzでのスイッチングを目標とする。特に、SiC MOSFETおよびJFETに着目し、ダブルパルス試験によりこれらの動特性の測定を行った。その結果、JFETは、すべてのゲート抵抗においてMOSFETよりスイッチング速度が速いことが確認できた。ゲート抵抗が20Ωのとき、JFETの立ち上がり時間、立ち下がり時間はMOSFETの6%、14%となった。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e335 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46400810877167,"sku":"IEEJ-ZT164011-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_569853eb-9689-456f-98a3-e219efb166b7.png?v=1744929479","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt164011","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}