{"product_id":"ieej-zt164013","title":"表面電位に基づくSiCパワーMOSFETモデルを用いたE級増幅器の回路シミュレーションに関する検討","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-013\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2016\/03\/05\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eA Case Study on Circuit Simulation of Class-E Amplifier Using Surface-Potential-Based SiC Power MOSFET Model\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e新谷 道広(京都大学),廣本 正之(京都大学),佐藤 高史(京都大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eMichihiro Shintani(Graduate School of Informatics, Kyoto University),Masayuki Hiromoto(Graduate School of Informatics, Kyoto University),Takashi Sato(Graduate School of Informatics, Kyoto University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eSiCパワーMOSFET,E級増幅器,回路シミュレーション,デバイスモデル\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eパワーMOSFETの材料として，高耐圧化，高耐温化，高周波化を可能とするSiCに注目が集まっている．電力変換回路にSiC パワーMOSFET を用いることで，回路の一層の性能向上が期待される．特に，E級電力変換回路に代表される共振型回路の設計では，回路シミュレーションによる回路定数の最適化が重要となる．我々の研究グループは表面電位モデルに基づくSiCパワーMOSFETモデルを提案しており，本稿では，回路シミュレーションによるE級増幅器の設計例を通じて，表面電位モデルが設計に適用可能であることを示す．\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e184 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46400820838639,"sku":"IEEJ-ZT164013-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_2c51378e-0b6a-4bf6-9ad9-8706d7df0bd5.png?v=1744929684","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt164013","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}