{"product_id":"ieej-zt164016","title":"SiC-MOSFETのUIS耐量評価","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-016\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2016\/03\/05\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eEvaluation of SiC MOSFET’s Unclamped Inductive Switching Ability\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e生井 正輝(筑波大学),安 俊傑(筑波大学),岡本 大(筑波大学),矢野 裕司(筑波大学),只野 博(筑波大学),岩室 憲幸(筑波大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eMasaki Namai(University of Tsukuba),Junjie An(University of Tsukuba),Dai Okamoto(University of Tsukuba),Hiroshi Yano(University of Tsukuba),Hiroshi Tadano(University of Tsukuba),Noriyuki Iwamuro(University of Tsukuba)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eパワー半導体デバイス,SiC,MOSFET,破壊耐量\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e本報告では1200V耐圧SiC-MOSFETを用いてUIS破壊試験を行い、SiC-MOSFETの破壊耐量評価・解析をSi-IGBTと比較することで行った。実験の結果、SiC-MOSFETはSi-IGBTに比べ破壊直前の電流密度ならびにアバランシェエネルギ密度が2倍以上大きく、UIS耐量に優れているとわかった。またSiC-MOSFET破壊メカニズム解析のためデバイスシミュレーションを行った結果、①素子表面近傍pn接合でのアバランシェによって発生した正孔電流により寄生npnトランジスタがオンすることがトリガとなり、②これによりn+ソース層から注入された電子によって前記pn接合でさらにアアバランシェが発生し正孔電流が増大する、という正帰還が起こることがわかった。この結果、大電流が流れることでSiC-MOSFETのpn接合近傍の温度が上昇しアルミ電極が損傷する、ということがSiC-MOSFETの破壊原因と推定した。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e496 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46400821231855,"sku":"IEEJ-ZT164016-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_9001661d-2b86-41e1-bea1-c11c57d86a18.png?v=1744929697","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt164016","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}