{"product_id":"ieej-zt164018","title":"インバータ保護動作を想定したSiC-MOSFETボディダイオードVf劣化評価方法の提案","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-018\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2016\/03\/05\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eThe Proposition of SiC-MOSFET Body Diode Vf Degradation Evaluation Method that Inverter Protection was Assumed\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e葛巻 淳彦(東芝),新妻 孝則(東芝),松本 脩平(東芝),餅川 宏(東芝)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eKuzumaki Atsuhiko(Toshiba Corporation),Niizuma Takanori(Toshiba Corporation),Matsumoto Shuhei(Toshiba Corporation),Mochikawa Hiroshi(Toshiba Corporation)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eSiC,ボディダイオード,Vf劣化,信頼性\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eオールSiCインバータの適用デバイスは、SiC-MOSFETとSiC-SBDの組み合わせが多い。SiC-MOSFETボディダイオードを利用すれば、SiC-SBDレス化が可能となり、半導体チップ面積削減による、モジュール小型化が望める。しかし、SiC-MOSFETボディダイオードは、結晶欠陥などによる、Vf劣化の信頼性問題がある。インバータ交流短絡事故の大電流を遮断すると、その大電流は、ダイオードを通して還流する。今回、この還流電流を想定した、1.2kV SiC-MOS FETボディダイオードのVf劣化評価を実施したので、その結果を報告する。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e208 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46400821100783,"sku":"IEEJ-ZT164018-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_266e8e32-877a-4f1a-9c6b-370de3a347bb.png?v=1744929691","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt164018","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}