{"product_id":"ieej-zt164019","title":"SiCパワーデバイスの過渡熱抵抗測定に関する一検討―SiC MOSFETにおけるゲート閾値電圧の動的変化の影響―","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-019\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2016\/03\/05\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eA Study on Transient Thermal Resistance Measurement of SiC Power Devices\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e舟木 剛(大阪大学),福永 崇平(大阪大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eTsuyoshi Funaki(OSAKA University),Shuhei Fukunaga(OSAKA University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e過渡熱抵抗,パワーデバイス,SiC MOSFET,Si MOSFET,SIC SBD,Si PiNダイオード\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e本論文では、熱設計に必要なパワーデバイスの熱抵抗測定法について検討する。Static法による過渡熱抵抗測定をSi、SiCそれぞれに適用する。 ダイオードについてはSi、SiCに関わらず、Static法による過渡熱抵抗測定が可能である。MOSFETでは、Siは妥当な結果が得られるが、SiCでは温度算出にゲート閾値電圧の動的変化の影響を受けるため、被測定デバイスのK-ファクタを用いた温度算出では、過渡熱抵抗の測定が難しい。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e503 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46400821756143,"sku":"IEEJ-ZT164019-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_daccec93-bc4a-4a41-b8bf-93e1f64d6212.png?v=1744929704","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt164019","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}