{"product_id":"ieej-zt164034","title":"インバータ回路における各相に分割配置したDCキャパシタの共振電流の検討","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-034\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2016\/03\/05\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eDiscussion on Resonant Current on Phase-leg DC link Capacitors for Inverter Circuit\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e平尾 高志(首都大学東京),和田 圭二(首都大学東京),清水 敏久(首都大学東京)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eTakashi Hirao(Tokyo Metropolitan University),Keiji Wada(Tokyo Metropolitan University),Toshihisa Shimizu(Tokyo Metropolitan University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eSiC MOSFET,フィルムキャパシタ,寄生インダクタンス\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eSiC, GaNパワーデバイスを適用してスイッチング時のサージ電圧低減と損失低減を両立するためには，直流側配線の寄生インダクタンスの低減が有効である。従来は，直流側に一括のDCキャパシタを接続する手法が採用されている。これに対して，各相レグのスイッチング素子の直近にそれぞれDCキャパシタを分割して取り付ける構成が提案させている。本稿では，各相レグのスイッチング素子の直近にDCキャパシタを取り付けた単相インバータ回路を対象として，直流側に生じる共振現象によりキャパシタ電流が大幅に増加することを実験により明らかにし，その発生要因について考察した。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e271 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46400382861551,"sku":"IEEJ-ZT164034-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_ba799095-5ad8-4de1-bda0-f4788372f0cb.png?v=1744924578","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt164034","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}