{"product_id":"ieej-zt164146","title":"フルSiC適用HVDC向けMMC変換器における半導体損失の検討","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-146\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2016\/03\/05\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eSemiconductor loss calculation of Full-SiC devices applied MMC-based HVDC system\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e石井 佑季(三菱電機),森 修(三菱電機),小柳 公之(三菱電機)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eIshii Yuki(Mitsubishi Electric Corporation),Osamu Mori(Mitsubishi Electric Corporation),Koyanagi Kimiyuki(Mitsubishi Electric Corporation)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eMMC,SiC,損失計算,HVDC\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e近年、欧州を中心として洋上風力発電の導入が急伸し、自励式のHVDC向けマルチレベル変換器の世界市場規模が拡大している。このような背景のもと、当社ではMMC型のHVDC向けマルチレベル変換器について研究開発を進めてきた。本稿では、HVDC向けMMC変換器にフルSiC（SiC-MOSFET+SiC-SBD）を適用した場合の半導体損失について検討した結果を報告する。検討対象としたフルSiC素子は3.3kV\/1.5kA定格品であり、半導体損失はデータシート記載のIV特性、スイッチング損失特性から求めた。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e278 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46400849379567,"sku":"IEEJ-ZT164146-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_34447e2c-7f81-4996-9e3b-74dd7c1f69b9.png?v=1744930108","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt164146","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}