{"product_id":"ieej-zt166027","title":"SiC-MOSFET型モデル遮断器の直流限流遮断－ゲート・ソース間電圧の2段階低下方式－","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e6-027\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2016\/03\/05\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eDirect Current Interruption of SiC-MOSFET Model Circuit Breaker ?Two-Step Reduction in Gate-Source Voltage ?\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e横水 康伸(名古屋大学),玉尾 一真(名古屋大学),大橋 亮介(名古屋大学),松村 年郎(名古屋大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eYasunobu Yokomizu(Nagoya University),Kazuma Tamao(Nagoya University),Ryosuke Ohashi(Nagoya University),Toshiro Matsumura(Nagoya University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e遮断器,パワー半導体,直流遮断,SiC\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eパワー半導体による直流電流の限流遮断方式を提案してきた。近年では，SiC系MOSFET素子型モデル遮断器において，ゲート・ソース間電圧を2段階で低下する制御回路を考案した。同モデル遮断器に直流遮断を課した。その結果，遮断時間の短縮だけでなく，遮断限界の向上にも有効であることがわかった。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e346 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46400423231727,"sku":"IEEJ-ZT166027-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_fdaad9ce-e838-4b21-b62b-4481ca900917.png?v=1744924828","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt166027","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}