{"product_id":"ieej-zt166029","title":"IGBT型直流用モデル遮断器の突入電流遮断限界とその要因考察","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e6-029\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2016\/03\/05\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eRush-Current Interrupting Limitation of IGBT-Type DC Model Circuit Breaker and Its Interpretation\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e横水 康伸(名古屋大学),大橋 亮介(名古屋大学),松村 年郎(名古屋大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eYasunobu Yokomizu(Nagoya University),Ryosuke Ohashi(Nagoya University),Toshiro Matsumura(Nagoya University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e遮断器,IGBT,直流,半導体\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e筆者らはパワー半導体としてIGBTを用いた低圧直流遮断器を提案し，モデル器を試作して特性評価を行ってきた。本報告では，直流供給回路において，様々な回路インダクタンスの下，モデル器にDC80?300 Aの突入電流の遮断責務を課すことで遮断限界を調べた。そして，その要因について考察を行った。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e490 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46400610992367,"sku":"IEEJ-ZT166029-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_40ec0a30-b359-4494-9846-ba7a1efbcc68.png?v=1744927045","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt166029","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}