{"product_id":"ieej-zt174002","title":"相互インダクタンスを用いたサージ電圧とスイッチング損失抑制可能なゲート駆動回路の設計手法","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-002\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成29年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2017\/03\/05\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eDesign of a Gate Drive Circuit Considering Mutual Inductance for Suppressing Surge Voltage and Switching Loss\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e緒形 航(首都大学東京),和田 圭二(首都大学東京)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eKo Ogata(Tokyo Metropolitan University),Keiji Wada(Tokyo Metropolitan University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e相互インダクタンス|スイッチング特性|寄生インダクタンス|SiC-MOSFET\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e近年，次世代パワーデバイスの研究・開発が活発的に行われてきており，電力変換回路の高パワー密度化が急速に達成されてきている。その一方スイッチング動作の高速化に伴い，nHオーダのインダクタンスによっても回路特性が変化してしまい，誤動作によって回路が故障する原因となっている。次世代パワーデバイスを適切に動作させるためにはゲート抵抗の値を決めるだけではなく，ゲート駆動回配線構造を適切に設計する必要がある。本稿では，SiC-MOSFETを用いたスイッチング回路のターンオン，オフ時において異なるゲート駆動回路構造を適用することにより，スイッチング特性を改善できることを実験により示す。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e304 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46401156022511,"sku":"IEEJ-ZT174002-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_f5ddfacd-6330-471a-809f-539bab13e003.png?v=1744936029","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt174002","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}