{"product_id":"ieej-zt174005","title":"大容量半導体モジュールの配線インダクタンスを用いた電流検出回路の開発","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-005\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成29年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2017\/03\/05\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eDevelopment of Current Detecting Circuit with Wiring Inductance of Power Semiconductor Module\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e長瀧 仁貴(茨城工業高等専門学校),長洲 正浩(茨城工業高等専門学校),稲葉 政光(日立パワーデバイス)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eMasaki Nagataki(Ibaraki National College of Technology),Masahiro Nagasu(Ibaraki National College of Technology),Masamitsu Inaba(Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e電流検出回路|半導体モジュール|配線インダクタンス|配線抵抗\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e半導体モジュールの配線インダクタンスに発生する電圧を積分し，電流を検出する電流検出回路の開発を進めている．電流検出の際，半導体モジュールの配線がもつ抵抗成分の影響により大きな誤差が生じるため，配線抵抗の影響を抑制する回路の検討が本研究の目的である．検出回路の入力部にMOSFETを付加し，半導体モジュール配線で発生する電圧が基準電圧より高い場合のみ積分するという動作によって，配線抵抗の影響を抑制する回路を提案した．大容量半導体モジュールを用いた短絡試験を実施し，配線抵抗の影響を抑制し電流検出できることを確認した．\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e842 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46400510984431,"sku":"IEEJ-ZT174005-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_c476e861-f687-4ab1-9ec5-f2718779a8e4.png?v=1744925870","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt174005","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}