{"product_id":"ieej-zt174012","title":"SiC SBD接合容量モデルの高周波領域における精度検証","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-012\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成29年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2017\/03\/05\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eInvestigation of Precision for Junction-Capacitance Model of SiC SBDs in High Switching Frequency\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e前田 凌佑(京都大学),奥田 貴史(京都大学),引原 隆士(京都大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eRyosuke Maeda(Kyoto University),Takafumi Okuda(Kyoto University Graduate School of Engineering),Takashi Hikihara(Kyoto University Graduate School of Engineering)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eSiC|SBD|接合容量モデル|高周波\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e大電力でのスイッチングの高速化にはワイドバンドギャップ半導体であるSiCを利用したデバイスに注目が集まっている. しかし高周波スイッチングのブーストコンバータにおいてSiC ショットキーバリアダイオード(以下 SBD)が機能していない状態が確認されている.本報告ではどの物理現象, パラメータがSiC SBDの特性を左右するかを理解するため, C-V, I-V特性を表した式に基づきモデルを作成する. そしてSiC SBDを利用した半波整流回路について, 高周波の正弦波を入力した際の作成したモデルのシミュレーションと実際の測定を比較, 検証する.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e216 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46401263796463,"sku":"IEEJ-ZT174012-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_352b335f-2582-45bb-89d8-87e8852ee2d4.png?v=1744938577","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt174012","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}