{"product_id":"ieej-zt174017","title":"GaN FET搭載ゲートドライバによるSiC MOSFETの20 MHz駆動","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-017\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成29年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2017\/03\/05\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003e20-MHz Switching of SiC MOSFET by a Gate Driver Using GaN FETs\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e奥田 貴史(京都大学),引原 隆士(京都大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eTakafumi Okuda(Kyoto University),Takashi Hikihara(Kyoto University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eゲートドライバ|GaN FET|高周波駆動|ハードスイッチング\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e本グループでは駆動周波数10 MHzを超える高周波電力変換回路の実現を目指している．現在，絶縁ゲートドライバの高周波化が大きなボトルネックとなっている．そこで我々は，GaN FETを用いたゲートドライバを昨年度に提案した．GaN FETは優れたスイッチング特性を有しており，ゲートドライバを高周波化するとともに駆動能力の向上が期待できる．本報告では，提案したゲートドライバの動作について詳細に調べ，ゲートドライバの駆動周波数を制限している要因について検討した．その結果，駆動周波数の向上に成功し，本ゲートドライバを用いることでSiCパワーMOSFETを20 MHzで駆動することに成功した．\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e293 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46400511049967,"sku":"IEEJ-ZT174017-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_574873c9-0e81-4e5f-bd2b-da322d6064e7.png?v=1744925873","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt174017","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}