{"product_id":"ieej-zt174081","title":"限流機能を付加した直流給電システム用半導体遮断器の研究","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-081\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成29年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2017\/03\/05\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eStudy on DC Circuit Breaker using Power Semiconductor for DC Power Network\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e小松 正明(釧路工業高等専門学校)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eMasaaki Komatsu(National Institute of Technology, Kushiro College)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e直流給電|限流|半導体遮断器|過電流保護\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e本研究では遮断器素子候補として、パワーMOSFET、SiC MOSFET、IGBTの3種の電圧制御デバイスを検討している。これらのパワーデバイスはゲート電圧を制御することで遮断器のオン・オフ制御を簡易に行うことができ、また、並列接続による電流容量の調整が容易であり、負荷電流特性に合わせて調整することで、あらゆる負荷に対して適用が可能である。限流機能は、過電流検知・短絡識別後にパワーデバイスの出力特性を、直線領域から飽和領域にゲート電圧を制御し、レーティング電流に一定時間保持することで実現可能である。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e236 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46401272512751,"sku":"IEEJ-ZT174081-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_35e1d83c-b8a8-4329-8eb8-4ab5cb8f6d11.png?v=1744938855","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt174081","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}