{"product_id":"ieej-zt181095","title":"ZnO上マイクロギャップフラッシオーバの印加電圧極性依存性","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e1-095\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成30年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2018\/03\/05\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eApplied Voltage Polarity Dependence of Flashover in Micrometer-scale gap on ZnO\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e谷 直樹(兵庫県立大学),岡田 翔(兵庫県立大学),上野 秀樹(兵庫県立大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eNaoki Tani(University of Hyogo),Sho Okada(University of Hyogo),Hideki Ueno(University of Hyogo)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eZnO,フラッシオーバ電圧,マイクロギャップ,三重点,沿面放電\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e近年のウェアラブル機器の普及に伴い、ESD保護デバイスの重要性が増している。本研究ではESD保護デバイスの新たな仕組みとしてZnO上マイクロギャップ放電の利用を考えている。基礎的な特性の把握として硼珪酸ガラス上およびZnO上ギャップにおけるフラッシオーバ電圧とギャップ長の関係を調査した。その結果，ZnO上正極性フラッシオーバ電圧は，ギャップ長 5-40 μmの範囲においてパッシェン最小値（330V）以下であった。したがって，ZnO上のフラッシオーバには低放電電圧領域広域化の可能性があることが示唆された。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e393 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46401495761135,"sku":"IEEJ-ZT181095-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_5bb039bf-0ed5-490c-a0be-8016f36588e7.png?v=1744946188","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt181095","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}