{"product_id":"ieej-zt181124","title":"フッ素支援プラズマCVD法を用いた立方晶窒化ホウ素膜の島成長と電界放出特性評価","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e1-124\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成30年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2018\/03\/05\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eIsland Growth and Field Emission Properties of Cubic Boron Nitride Films using Fluorine-Assisted Plasma CVD\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e高橋 里奈(九州大学),堤井 君元(九州大学),松本 精一郎(物質・材料研究機構)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eRina Takahashi(Kyushu University),Kungen Teii(Kyushu University),Seiichiro Matsumoto(National Institute for Material Science)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e誘導結合型プラズマ,イオン衝撃エネルギー,プラズマCVD,窒化ホウ素,ダイヤモンド,電界放出\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e高効率電界放出エミッタの材料として、ワイドバンドギャップ半導体が注目されている。その中でも立方晶窒化ホウ素（cBN）は、炭素系材料と異なり高温耐酸化性を有するため、次世代エミッタ材料として期待されている。従来のcBN膜の合成法ではcBNの生成に強いイオン照射を必要とするため、低品質な膜しか得られず、電界放出特性の評価に至らなかった。我々のグループでは、独自のプラズマCVD法によって低エネルギーイオン照射下で高品質なcBN膜の合成に成功した。本研究ではこれらcBN膜の構成相、表面粗さ、電界放出特性の相関を報告するとともに、cBNが他の材料に匹敵する優れた電界放出性能を有することを示す。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e386 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46401498120431,"sku":"IEEJ-ZT181124-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_58db6b36-4818-4bfa-b623-b5acb593a70e.png?v=1744946352","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt181124","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}