{"product_id":"ieej-zt184002","title":"AFM\/KFM\/SCFMによるパワー半導体デバイスの断面構造観察","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-002\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成30年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2018\/03\/05\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eNanoscale investigation of the Double Diffused MOSFET by the AFM\/KFM\/SCFM\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e中島 瑞貴(千葉工業大学),佐藤 宣夫(千葉工業大学),山本 秀和(千葉工業大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eMizuki Nakajima(Chiba Institute of Technology),Nobuo Satoh(Chiba Institute of Technology),Hidekazu Yamamoto(Chiba Institute of Technology)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e走査型プローブ顕微鏡,SiC-MOSFET,SCFM,パワー半導体デバイス\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e近年のパワー半導体デバイスは，ワイドバンドギャップ半導体材料による高耐圧化のほか，微細加工による多並列化，大規模化，複合化へと進展している．その一方で，デバイスの稠密化は，動作や故障における評価・解析を困難にする要因でもある．そのため，パワー半導体デバイスの動作を可視化するためには，高い空間分解能と高い検出感度の両立が求められている．我々は，独自に開発した真空圧力環境下で動作する多機能走査型プローブ顕微鏡（AFM\/KFM\/SCFM）を用い，市販のディスクリートデバイスの同時同一箇所ナノスケール観測に成功した．\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e480 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46401541144815,"sku":"IEEJ-ZT184002-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_fb81fd8e-aafd-447f-8ef9-c0299de599d7.png?v=1744947631","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt184002","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}