{"product_id":"ieej-zt184019","title":"SiC-MOSFET駆動用共振型ゲート駆動回路の基礎検討","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-019\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成30年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2018\/03\/05\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eBasic Study on Resonant Gate Drive Circuit for SiC-MOSFET\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e大山 龍太郎(東京理科大学),八木 啓太(東京理科大学),星 伸一(東京理科大学),松岡 寛(ACR)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eryutaro Ohyama|Keita Yagi|Nobukazu Hoshi|Hiroshi Matsuoka\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eゲート駆動回路,消費電力,共振\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e本研究では低消費電力なSiC-MOSFET駆動用共振型ゲート駆動回路を提案している。SiC-MOSFETでは入力容量は増加傾向にあり，ゲート電荷量が増加する。さらに高周波化に伴い，ゲート電荷の充放電回数が増加し，ゲート駆動回路での消費電力が問題になる。先行研究において，ゲート駆動回路での消費電力低減として共振型ゲート駆動回路が提案されている。しかし，SiC-MOSFET では駆動ゲート電圧の推奨値がオン時，オフ時で異なる場合がある。そのため従来の共振型ゲート駆動回路では，推奨ゲート駆動電圧での運転が困難となる。そこで本稿ではSiC-MOSFETに適した非対称駆動電圧共振型ゲート駆動回路を提案する。また，その有効性をシミュレーションにより検証する。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e447 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46401468465391,"sku":"IEEJ-ZT184019-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_3f208a32-911e-469f-8905-8f06909e669f.png?v=1744944166","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt184019","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}