{"product_id":"ieej-zt184021","title":"光ファイバー絶縁ゲート回路適用高電圧SiCパワーデバイスの1kV-20kHzスイッチング動作実験","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-021\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成30年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2018\/03\/05\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003e1kV-20kHz Switching Operational Experiment of High Voltage SiC Power Device Insulated by Optical Fiber\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e弦田 幸憲(横浜国立大学),小原 秀嶺(横浜国立大学),河村 篤男(横浜国立大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eYukinori Tsuruta(Yokohama National University),Hidemine Obara(Yokohama National University),Atsuo Kawamura(Yokohama National University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e部分昇圧,SiC-MOSFET,DABコンバータ,再生可能エネルギー,風力発電\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e著者らは前稿で，自動車分野に適用する600 VDC，20 kHz，99.3 %で動作する100 kWのHEECSチョッパを試作し実証した。今回は，その成果を踏まえ，再生可能エネルギー分野に適用するより高電圧化した最終的には3.3 kV DC，20 kHz，99.5 %で動作する総出力100 kWのHEECSチョッパ実現を目指している。本稿ではその途中段階において，新設計部の光ファイバー絶縁ゲート駆動回路による3.3 kV-SiC-MOSFETの高電圧スイッチング動作実験を行ない，1 kV-20 kHz スイッチング動作を確認したので報告する。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e615 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46401481539823,"sku":"IEEJ-ZT184021-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_8df5eaea-ea93-4ab1-bd5e-99f6bc11c53d.png?v=1744945180","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt184021","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}