{"product_id":"ieej-zt184113","title":"S字スイッチング波形制御による低ノイズ化に関する研究","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-113\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成30年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2018\/03\/05\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eNoise Reduction by S-Shaped Switching Waveform Control\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e嶋田 有志(九州大学),今岡 淳(九州大学),庄山 正仁(九州大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eYushi Shimada(Kyushu University),Jun Imaoka(Kyushu University),Masahito Shoyama(Kyushu University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eスイッチングノイズ,S字波形,ノイズスペクトル,可変容量コンデンサ\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e近年, SiC（炭化シリコン）やGaN（窒化ガリウム）を使用したワイドバンドギャップ半導体を用いた高性能デバイスの研究が多数報告されている. 高性能デバイスの利点である高速動作により高周波化がより容易に実現可能となる. 一方で, 高速動作は高周波ノイズを増大させ, 電子機器の誤動作の原因となる場合がある. 本論文では, 高周波帯域での低ノイズ化を目的に, スイッチング遷移時の波形をコンデンサの可変容量特性を利用し, 高周波帯域で急峻なスペクトル減衰が見られるS字の軌道で遷移させる手法を提案した. 実機を用いた雑音端子電圧の測定により, 7MHz以上の高周波帯域において, 傾き -60dBμV\/dec の包落線により雑音端子電圧が低減されることを確認した.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e462 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46401454932207,"sku":"IEEJ-ZT184113-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_19ec7e82-a6b0-4315-907f-b9c4843a190d.png?v=1744943383","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt184113","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}