{"product_id":"ieej-zt192101","title":"Study on Si acceptor level in GaAsSb layer","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e2-101\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成31年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2019\/03\/01\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eStudy on Si acceptor level in GaAsSb layer\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e杉田 有哉(鈴鹿工業高等専門学校),田中 滉士(鈴鹿工業高等専門学校),和泉 志男(鈴鹿工業高等専門学校),横山 春喜(鈴鹿工業高等専門学校)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eYuya Sugita(NIT suzuka college),Koji Tanaka(NIT suzuka college),Yukio Izumi(NIT suzuka college),Haruki Yokoyama(NIT suzuka college)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e化合物半導体,ホール効果,キャリア,活性化エネルギー\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eInPに格子整合するGaAsSbはInPやInGaAsに対してタイプⅡのヘテロ接合を形成する。この特徴を生かし、Ⅲ－Ⅴ族化合物半導体デバイスの特性を改善する材料として、近年、p型のGaAsSbが注目されている。しかしながら、Siドープp型GaAsSbのアクセプタ準位を評価した報告はこれまでに無い。本報告では、有機金属気相成長法(MOCVD)を用いて作製したSiドープp型GaAsSb層の低温ホール効果測定を行い、Siアクセプタのイオン化エネルギーが0.013eVであることを初めて示す。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e358 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46401726677231,"sku":"IEEJ-ZT192101-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_5e5c7028-e621-4fe0-a56a-8e5fa255c5f6.png?v=1744952609","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt192101","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}