{"product_id":"ieej-zt192102","title":"溶液法により作製したIGZO-TFTのオゾン暴露に対する濃度応答性","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e2-102\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成31年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2019\/03\/01\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eResponse characteristics of a solution-processed IGZO-TFT exposed to various concentration of ozone\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e古川 航(芝浦工業大学),林 秀臣(芝浦工業大学),西川 宏之(芝浦工業大学),森本 貴明(防衛大学校)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eWataru Furukawa(Shibaura Institute of Technology),Hidetaka Hayashi(Shibaura Institute of Technology),Hiroyuki Nishikawa(Shibaura Institute of Technology),Morimoto Takaaki(National Defense Academy of Japan)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eIGZO半導体,溶液法,オゾンセンサ\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e溶液法により作製したIGZO薄膜はアモルファス膜であり、ガスセンサによく利用される結晶膜のZnO、SnO2などと比較して高い透明性、フレキシブル性、脱真空プロセスによる低コスト化など多くの付加価値を有する。本研究では、溶液法によるa-IGZO薄膜を用いたIGZO-TFTの作製を行い、IGZO-TFTのガスセンサ応用に関してオゾンガス反応特性の評価を行った。UV照射によるTFT回復特性とオゾン濃度依存性を評価し、オゾンセンサとしての実現可能性を示した。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e308 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46401726742767,"sku":"IEEJ-ZT192102-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_df742c83-98e4-4e83-b0c9-ed65b0629cf3.png?v=1744952612","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt192102","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}