{"product_id":"ieej-zt194018","title":"高速GaNスイッチング回路の高精度プロービング検討","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-018\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成31年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2019\/03\/01\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eHigh voltage probing for dynamic characteristics measurement of SiC and GaN\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e長浜 竜(岩崎通信機),髙木 茂行(東京工科大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eRyu Nagahama(Iwatsu Electric Co., LTD),Shigeyuki Takagi(Tokyo University of Technology)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eGaN,差動測定,シングルプローブ,動的特性,波形歪み\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eSiC、GaNデバイスは、数10nsから数nsの非常に速いトランジェント特性を持っている。従来の測定法では、正確な波形が得られない事が発生している。こうした例として、前回の報告では、主にシングルプローブについての測定について調べ、グランドリードの影響で大きなダンピングが現れること示した。また、等価回路を使ってシミュレーションを実施して波形のダンピングを検証し、改善策として差動プローブによる測定法を提案する。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e486 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46401743782127,"sku":"IEEJ-ZT194018-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_bd5e2c82-423f-4c8f-8034-1e5534701893.png?v=1744953758","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt194018","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}