{"product_id":"ieej-zt194020","title":"並列接続したデバイスの電流アンバランスにDCバスの磁気的結合が与える影響","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-020\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成31年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2019\/03\/01\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eInfluence of magnetic coupling of DC bus on the current imbalance of the parallel connected devices\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e石川 清太郎(筑波大学),磯部 高範(筑波大学),只野 博(筑波大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eSeitaro Ishikawa(University of Tsukuba),Takanori Isobe(University of Tsukuba),Hiroshi Tadano(University of Tsukuba)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eSiC-MOSFET,並列接続,電流アンバランス,DCバス,磁気結合,SiC-SBD\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eSiC-MOSFETを大電力アプリケーションに適用する場合，電流容量を増加させるために並列接続が必要である。その場合の課題として，電流アンバランス現象が挙げられる。この現象に関する検討はいくつか行われているが，主回路構造に着目した検討は行われていない。主回路全体の小型化に伴い，レグ部とDCバスを近接させる必要があり，並列接続部にDCバスが与える磁気的影響はより強くなると考えられる。本稿では，電流アンバランスにDCバスが与える影響を実験で検証した。その結果，並列接続部とDCバスの磁気的影響により，磁気結合が最も強い部分では電流アンバランス差が最大になり，結合が弱まると電流アンバランス差は小さくなることを確認した。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e436 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46401039827183,"sku":"IEEJ-ZT194020-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_605407dc-ba1b-49f9-aca2-eda889fb0360.png?v=1744934313","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt194020","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}