{"product_id":"ieej-zt194027","title":"アクティブ駆動によるSiC-MOSFETのサージ電圧低減効果のゲート抵抗依存性に関する検証","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-027\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成31年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2019\/03\/01\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eGate Resistance Dependence of Surge Voltage by Active Gate Driving for SiC-MOSFETs\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e長野 剛(富士電機),松原 邦夫(富士電機),田久保 拡(富士電機),鳥羽 章夫(富士電機)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eTsuyoshi Nagano(Fuji Electric Co., LTD.),Kunio Matsubara(Fuji Electric Co., LTD.),Hiromu Takubo(Fuji Electric Co., LTD.),Akio Toba(Fuji Electric Co., LTD.)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eSiC,ワイドバンドギャップ半導体,ゲート駆動回路,アクティブゲート駆動\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eSiC-MOSFETは低損失かつ高速動作できる性能をもつが，過大なサージ電圧が発生する。そこで，これまでにターンオフ期間中に一定期間のみゲート電流を停止させるアクティブゲート駆動方式を提案し，サージ電圧低減効果を検証してきた。本論文では，提案アクティブゲート駆動方式のゲート抵抗依存性を確認し，ゲート抵抗に依らずサージ電圧を低減できることがわかった。また，通常の駆動方法で素子耐圧超過間際のサージ電圧が発生するターンオフ損失に比べ，アクティブゲート駆動では同等のサージ電圧が発生する際のターンオフ損失を35%低減できることを確認した。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e363 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46401040056559,"sku":"IEEJ-ZT194027-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_4ed4e7d6-396d-432b-981b-2a1943c19715.png?v=1744934316","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt194027","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}