{"product_id":"ieej-zt194028","title":"キャパシタを用いたSiC-MOSFET用高速ゲート駆動回路","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-028\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成31年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2019\/03\/01\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eHigh Speed Gate Drive Circuit for SiC-MOSFET Utilizing Capacitor\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e中小原 佑輔(ローム),大河内 裕太(ローム),中原 健(ローム)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eYusuke Nakakohara(Rohm Co.,Ltd.),Yuta Okawauchi(Rohm Co.,Ltd.),Ken Nakahara(Rohm Co.,Ltd.)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eSiC,パワーデバイス,ゲートドライブ回路,高速スイッチング,ゲート抵抗,スイッチング損失\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eSiC-MOSFET は電源の小型・高効率化実現のために、実用化が進んでいる。ただし、SiC-MOSFET はSi-MOSFET と比較すると、デバイス内部の寄生ゲート抵抗Rgin が大きく、ゲートの充放電速度が制限されてしまうという問題がある。高速にゲートを充放電する回路として、電流形のゲート駆動回路が提案されているが、Rgin の影響については考慮されていない。そのため、Rgin が大きいSiC-MOSFET でも高速に駆動できるゲート駆動回路を考案し、その有用性を実測で確認したため、報告する。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e298 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46401434026223,"sku":"IEEJ-ZT194028-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_ddeeedd4-daff-4b5e-81c2-44ddbcc0a8da.png?v=1744942808","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt194028","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}