{"product_id":"ieej-zt194031","title":"SiC パワーMOSFETのMHzスイッチング動作に向けた共振型ゲートドライバ","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-031\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成31年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2019\/03\/01\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eResonant Gate Driver for MHz-Switching of SiC power MOSFET\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e長尾 詢一郎(京都工芸繊維大学),古田 潤(京都工芸繊維大学),小林 和淑(京都工芸繊維大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eJunichiro Nagao(Kyoto Institute of Technology),Jun Furuta(Kyoto Institute of Technology),Kazutoshi Kobayashi(Kyoto Institute of Technology)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eゲートドライバ\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e近年,電力変換回路の多用途化が進んでいる. 車載やドローン等の用途では電力変換回路の小型軽量化が要求される. スイッチング周波数を高速化することは解決法の1つである. 本稿ではパワーMOSFETを駆動するゲートドライバに着目した. 提案ゲートドライバとして,インダクタを用いた共振型ゲートドライバを提案する. スイッチング前にインダクタにエネルギーを蓄積し、蓄積した磁気エネルギーを電流として放電することで,高いピーク値をもつ電流でパワーMOSFETを駆動する. 実測結果はターンオフが従来の95%,ターンオンが従来の83%のスイッチング時間となった.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e270 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46401475182831,"sku":"IEEJ-ZT194031-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_595c1a27-2f48-421f-929a-08dfb6525581.png?v=1744944764","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt194031","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}